| 摘要 |
Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements bereitgestellt. Das Verfahren weist auf: Bereitstellen einer Halbleiterscheibe, die von einem gezogenen magnetischen Czochralski-Siliciumkristall oder einem gezogenen Czochralski-Siliciumkristall abgeschnitten ist, eine Hauptseite und eine Rückseite aufweist, die gegenüber der Hauptseite angeordnet ist und eine Sauerstoffkonzentration von weniger als etwa 2,5·1017 cm–3 und eine im Wesentlichen unveränderliche Stickstoffkonzentration von weniger als etwa 1·1015 cm–3 aufweist; Implantieren von Protonen von der Rückseite in die Siliciumschicht, um eine bestrahlte Teilschicht in der Siliciumschicht zu bilden; und thermisches Ausheilen nach dem Implantieren der Protonen, um wasserstoffbedingte flache thermische Donatoren zu bilden, so dass die wasserstoffbedingten thermischen flachen Donatoren wenigstens einen Großteil der n-Dotanden in der Teilschicht bilden. Ferner wird ein IGBT bereitgestellt. |
