发明名称 |
CMOSイメージセンサの列共有画素ユニットおよび画素アレイ |
摘要 |
本発明はCMOSイメージセンサの列共有画素ユニットおよび画素アレイを公開する。MOSイメージセンサ列共有画素ユニットおよびCMOSイメージセンサ画素アレイは、2つの列画素を1セットの画素ユニットとし、2つの画素は列内にて選択トランジスタ、ソースフォロアトランジスタ、リセットトランジスタ、フローティングアクティブ領域を共有しており、複数セットの画素ユニットを垂直および水平方向上で二次元画素アレイになるように配置し、前記二次元画素アレイにて2層の金属線で接続しており、金属線は第0の層の金属線および第1の層の金属線のみを素子の制御線として使用することで画像情報を収集する機能を実現するものであり、第2の層以上の高い層の金属線を素子制御線とすることなく、フォトダイオードSi表面上の媒体高さを効果的に低くし、より多くの光をフォトダイオードに入射させることで、小面積イメージセンサの光利用効率および変換利得を高めることで、感度を向上させることができるので、小面積画素イメージセンサの画質を効果的に高めることができる。【選択図】図4 |
申请公布号 |
JP2015534271(A) |
申请公布日期 |
2015.11.26 |
申请号 |
JP20150532273 |
申请日期 |
2012.12.14 |
申请人 |
北京思比科▲微▼▲電▼子技▲術▼股▲分▼有限公司BEIJING SUPERPIX MICRO TECHNOLOGY CO.,LTD. |
发明人 |
郭 同▲輝▼;▲陳▼ 杰;▲劉▼ 志碧;▲曠▼ 章曲;唐 冕 |
分类号 |
H01L27/146;H01L27/14;H04N5/369;H04N5/374 |
主分类号 |
H01L27/146 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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