| 摘要 |
Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen, wobei das Verfahren umfasst: Bereitstellen eines Stapels, der einen Halbleiterwafer (300) und ein an dem Halbleiterwafer (300) angebrachtes Glassubstrat (200) aufweist, wobei der Halbleiterwafer (300) mehrere Halbleiterbauelemente (310) aufweist, wobei das Glassubstrat (200) mehrere Öffnungen (205, 207) aufweist, die jeweils einen jeweiligen Bereich der Halbleiterbauelemente (310) durch das Glassubstrat (200) unbedeckt lassen, und mindestens einen Graben (206), der auf einer Seite (202) des Glassubstrats (200) ausgebildet ist, die von dem Halbleiterwafer (300) weg weist, und der die Öffnungen (205, 207) verbindet, wobei der mindestens eine Graben (206) eine Tiefe (d3) aufweist, die kleiner ist als eine Dicke (d1) des Glassubstrats (200); Ausbilden einer Metallschicht (410) mindestens auf freiliegenden Wänden des mindestens einen Grabens (206) und der Öffnungen (205, 207) und auf den unbedeckten Bereichen der Halbleiterbauelemente des Halbleiterwafers (300); Ausbilden eines Metallgebiets (402, 403) durch electrochemisches Abscheiden von Metall (401) in die Öffnungen (205, 207) und den mindestens einen Graben (206) und durch nachfolgendes Schleifen des Glassubstrats (200), um die den mindestens einen Graben (206) zu entfernen; und Schneiden des Stapels, der den Halbleiterwafer (300) und das angebrachte Glassubstrat (200) aufweist, um die Halbleiterbauelemente (310) zu trennen. |
