发明名称 Methods of fabricating single crystal graphene
摘要 본 발명은 웨이퍼 스케일의 절연체 기판 상에 단결정과 같이 한 방향으로 정렬된 그래핀막을 성장시키기 위하여, 기판 상에 탄화수소 가스를 이용하여 다결정 그래핀을 형성하는 단계, 상기 다결정 그래핀 상에 촉매를 형성하는 단계, 상기 다결정 그래핀 및 상기 촉매를 열처리함으로써 상기 다결정 그래핀을 단결정 그래핀으로 재결정화하는 단계를 포함하는 단결정 그래핀막의 제조방법을 제공한다.
申请公布号 KR101572066(B1) 申请公布日期 2015.11.26
申请号 KR20130167109 申请日期 2013.12.30
申请人 한국표준과학연구원 发明人 황찬용
分类号 C30B25/16;C30B29/36 主分类号 C30B25/16
代理机构 代理人
主权项
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