トレンチ側壁の平滑化のためのシリコンエッチング方法

摘要

トレンチ側壁の平滑化のためのシリコンエッチングの方法が記載される。一実施形態では、本方法は、プラズマエッチングを介して半導体ウェハ内に形成されたトレンチの側壁を平滑化する工程を含む。本方法は、第２処理ガス（例えば、酸素又は重合ガス）によって生成されたプラズマによって形成された保護層を有するトレンチの側壁を平滑化するためにフッ素ガスから生成されたプラズマによって半導体ウェハを指向性エッチングする工程を含む。別の一実施形態では、本方法は、滑らかな側壁を有するトレンチを生成するために半導体ウェハをエッチングする工程を含む。本方法は、フッ素ガスを含む１以上の第１処理ガスによって半導体ウェハをプラズマエッチングする工程と、フッ素ガスと重合ガスの混合物を含む１以上の第２処理ガスによって半導体ウェハの堆積とプラズマエッチングを同時に実行する工程と、重合ガスを含む１以上の第３処理ガスによって堆積を実行する工程を含む。