Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterstruktur, bei dem eine Gatestruktur mit einem Gatedielektrikumsmaterial für einen ferroelektrischen Transistor gebildet wird

摘要

Ein Verfahren umfasst ein Bereitstellen einer Halbleiterstruktur mit mindestens einem ersten Transistorgebiet und einem zweiten Transistorgebiet. Über jedem von dem mindestens einen ersten Transistorgebiet und dem zweiten Transistorgebiet wird eine Gatestruktur gebildet. Jede der Gatestrukturen umfasst ein Gatedielektrikumsmaterial für einen ferroelektrischen Transistor. Es wird eine dielektrische Struktur gebildet, die die Gatestrukturen ringförmig umschließt. Die Gatestrukturen werden von dem mindestens einen ersten Transistorgebiet zumindest teilweise entfernt. Dabei wird das Gatedielektrikumsmaterial für den ferroelektrischen Transistor von dem mindestens einen ersten Transistorgebiet entfernt. Über jedem von dem mindestens einen ersten Transistorgebiet wird eine Austauschgatestruktur gebildet. Zumindest ein Teil der Gatestruktur über dem zweiten Transistorgebiet, der das Gatedielektrikumsmaterial für den ferroelektrischen Transistor umfasst, verbleibt in der Halbleiterstruktur.