用于一次可编程存储器的具有电熔丝结构的半导体装置

摘要

本发明提供了一种用于一次可编程存储器的具有电熔丝结构的半导体装置以及制造电熔丝结构的方法。该半导体装置包括：具有浅沟槽隔离（STI）结构的基底基板；第一金属层，形成在所述STI结构上，具有限定阳极、阴极、和连接在所述阴极与阳极之间的熔丝颈的形状；未掺杂的多晶硅（多晶）区域，形成在所述第一金属层的所述熔丝颈上；以及第二金属层，具有形成在所述第一金属层上且位于所述多晶区域的相对侧上的第一部分和第二部分，所述第二金属层的所述第一部分形成在所述阳极上，而所述第二金属层的所述第二部分形成在所述阴极上。

主权项

一种用于一次可编程存储器OTP的具有电熔丝结构的半导体装置，包括：具有浅沟槽隔离STI结构的基底基板；第一金属层，形成在所述STI结构上，具有限定阳极、阴极、和连接在所述阴极与阳极之间的熔丝颈的形状；未掺杂的多晶区域，形成在所述第一金属层的所述熔丝颈上；以及第二金属层，具有形成在所述第一金属层上且位于所述多晶区域的相对侧上的第一部分和第二部分，所述第二金属层的所述第一部分形成在所述阳极上和所述熔丝颈的第一部分上，而所述第二金属层的所述第二部分形成在所述阴极上和所述熔丝颈的第二部分上；其中所述多晶区域形成在位于所述熔丝颈的第一部分和所述第二部分之间的所述熔丝颈的第三部分上。