| 发明名称 | 一种高α相氮化硅的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种高α相氮化硅的制备方法，包括以下步骤：首先将质量比为5～45:100的纳米级硅粉和微米级硅粉充分混合，得到硅粉原料；氮气气氛下，将所述的硅粉原料加热到800～1200℃，保温2～20h，再升温至1200～1350℃，待氮化反应完全后得到氮化硅。本发明提供了一种高α相氮化硅的制备方法，通过在微米级硅粉中掺入纳米级硅粉，同时控制氮化温度，抑制硅粉的自烧结，进而获得了高含量的α相氮化硅；本制备方法工艺简单、性能可控，且生产周期短、极大地降低了生产能耗，适合于大规模的工业化生产。 | ||
| 申请公布号 | CN104291829B | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
| 申请号 | CN201410446973.8 | 申请日期 | 2014.09.04 |
| 申请人 | 浙江大学 | 发明人 | 张亚光;杜宁;张辉;杨德仁 |
| 分类号 | C01B21/068(2006.01)I;C04B35/584(2006.01)I;C04B35/626(2006.01)I | 主分类号 | C01B21/068(2006.01)I |
| 代理机构 | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人 | 胡红娟 |
| 主权项 | 一种高α相氮化硅的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将纳米级硅粉和微米级硅粉按质量比为5～45:100进行充分混合，得到硅粉原料；(2)氮气气氛下，将步骤(1)得到的硅粉原料加热到800～1200℃，保温2～20h，再升温至1350℃，待氮化反应完全后得到氮化硅。 | ||
| 地址 | 310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号 | ||