光电变换装置

摘要

本发明的目的在于将半导体层与背面电极之间的电阻也保持得低、并且提高通过了半导体层的光的反射率来实现光电变换效率高的光电变换装置。为此，提供一种光电变换装置，在透光绝缘基板（1）上将表面电极（2）、由半导体材料构成的光电变换层（4）、由透明导电氧化物构成的透明导电层（7）、以及由金属材料构成的背面电极（6）按照该顺序层叠，在该光电变换装置中，由以硅为主成分的半导体材料构成、且折射率比所述透明导电层高的导电层（8）与所述透明导电层（7）和所述背面电极（6）相接而被夹住。

主权项

一种光电变换装置，具备：按照如下顺序层叠的表面电极、由半导体材料构成的光电变换层、由透明导电氧化物构成的透明导电层、由以硅为主成分的半导体材料构成且折射率比所述透明导电层高的导电层、以及由金属材料构成的背面电极，其中，所述导电层与所述透明导电层和所述背面电极相接而被夹住，通过干涉效果使所述背面电极反射光，所述导电层的膜厚落入30nm～300nm的范围内，所述导电层针对波长850nm的折射率为3.4以上。