基板、基板的制造方法及发光元件

摘要

本发明提供一种基板、该基板的制造方法、以及使用了该基板的发光元件，所述基板可以形成与蓝宝石基板制成的发光元件相比更廉价的发光元件。本发明的基板（10）由尖晶石制成，且为发光元件（30）用基板（10）。优选构成基板（10）的尖晶石的烧结体的组成为MgO·nAl₂O₃（1.05≤n≤1.30），且Si元素的含量为20ppm以下。

主权项

一种发光元件的制造方法，具有：准备尖晶石制基板(10)，另外在n型GaAs基板上形成半导体层从而准备外延结构体的构成材料准备工序(S100)；在外延结构体中，使与基板(10)接合的面的表面活化，并且使基板(10)的主表面(10a)与该表面接触从而直接接合的贴合工序(S110)；以及将非透过性的n型GaAs基板除去的后处理工序(S120)，所述发光元件具有基板(10)以及半导体层(1～6)，所述基板(10)由尖晶石制成、具有主表面(10a)，所述半导体层(1～6)不使用接合材料而直接接合到该基板(10)的一侧的主表面(10a)上并且包含发光层(4)，对于所述主表面(10a)，当设定多个长5mm×宽5mm的四方形区域时，在所述多个区域中，对于多个评价对象区域而言，表示LTV为1.0μm以下的所述评价对象区域的比率的PLTV为90％以上，其中所述多个评价对象区域为除去了落入距离所述主表面(10a)外周3mm范围内的所述区域后的部分，其中LTV是指局部厚度偏差，PTLV是指局部厚度偏差率。