| 发明名称 | 一种混合线条的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种混合线条的制造方法，该方法包括以下步骤：在底层上依次形成材料层和硬掩模层；在所述硬掩膜层上形成光刻胶层，所述光刻胶层对光学曝光和电子束曝光都敏感，并分别利用光学曝光和电子束曝光对所述光刻胶层进行曝光，显影后形成第一光刻胶图形和电子束曝光胶图形，其中第一光刻胶图形通过光学曝光形成，电子束曝光胶图形通过电子束曝光形成；以所述第一光刻胶图形和电子束曝光胶图形为掩模，对所述硬掩模层刻蚀形成对应的第一硬掩模图形和第二硬掩模图形；以所述第一硬掩模图形和第二硬掩模图形为掩模，刻蚀所述材料层，形成第一线条和第二线条。本发明将同一层次图形按线条大小进行拆分，大线条用普通光学曝光，小线条用电子束曝光，在不影响图形质量的前提下大幅缩减曝光时间；采用特殊的光刻胶，只需涂布一次光刻胶即可实现普通光学曝光和电子束曝光。 | ||
| 申请公布号 | CN103187247B | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
| 申请号 | CN201110460558.4 | 申请日期 | 2011.12.31 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 唐波;闫江 |
| 分类号 | H01L21/027(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/027(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人 | 朱海波 |
| 主权项 | 一种混合线条的制造方法，该方法包括以下步骤：a)在底层(10)上依次形成材料层(20)和硬掩模层(30)；b)在所述硬掩膜层(30)上形成光刻胶层(40)，所述光刻胶层(40)对光学曝光和电子束曝光都敏感，并分别利用光学曝光和电子束曝光对所述光刻胶层(40)进行曝光，显影时既受到光学曝光又受到电子束曝光的区域的光刻胶层(40)不会被去除，显影后形成第一光刻胶图形(40a)和电子束曝光胶图形(40b)，其中第一光刻胶图形(40a)通过光学曝光形成，电子束曝光胶图形(40b)通过电子束曝光形成；c)以所述第一光刻胶图形(40a)和电子束曝光胶图形(40b)为掩模，对所述硬掩模层(30)刻蚀形成对应的第一硬掩模图形(30a)和第二硬掩模图形(30b)；d)以所述第一硬掩模图形(30a)和第二硬掩模图形(30b)为掩模，刻蚀所述材料层(20)，形成第一线条(20a)和第二线条(20b)。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||