用于串联连接的LED的基板中的齐纳二极管保护网络

摘要

公开了用于串联连接的多（N）个LED的瞬态电压抑制器电路。仅仅产生一个齐纳二极管以用于到LED之间的每个节点的连接，并且将一对齐纳二极管（“末端”齐纳二极管）连接到串联串的两个引脚（阳极和阴极焊盘）。因此，仅仅使用N+1个齐纳二极管。末端齐纳二极管（Q1和Qn+1）有效地跨两个引脚产生背靠背齐纳二极管，因为齐纳二极管共享公共p+衬底。末端齐纳二极管Q1和Qn+1的n+区域具有最高击穿电压要求并且必须被相对较远地分开放置。中间齐纳二极管的相邻n+区域具有低得多的击穿电压要求，因此可以被紧密地放置在一起。由于存在较少的齐纳二极管并且其间距可以是小的，所以可以将齐纳二极管放置在非常小的覆盖区内，或者其可以更大以获得更好的抑制器性能。

主权项

一种发光器件，包括：串联地连接的N个倒装芯片发光二极管，这些发光二极管具有电极和半导体发光表面，其中N是两个或更多，其中在发光二极管之间的每个连接处存在节点，并且其中这些发光二极管包括具有连接到第一电源终端的阳极的第一末端发光二极管和具有连接到第二电源终端的阴极的第二末端发光二极管；以及连接到所述N个发光二极管的瞬态电压抑制电路，包括连接到第一末端发光二极管的阳极的第一末端齐纳二极管、连接到第二末端发光二极管的阴极的第二末端齐纳二极管以及连接到发光二极管之间的每个连接处的其关联节点的每个节点的仅仅一个中间齐纳二极管，其中在用于所述N个发光二极管的瞬态电压抑制电路中仅存在N+1个齐纳二极管。