发明名称 半导体元件搭载用封装基板的制造方法
摘要 本发明提供半导体元件搭载用封装基板的制造方法,该方法可以通过抑制树脂粉末的附着来提高成品率,通过形成不产生底切的埋入电路而可以形成微细且对于绝缘层具有密合力并且表面平坦的外层电路,而且可以通过在任意位置形成立体电路而形成凸块、柱等各种金属结构。所述半导体元件搭载用封装基板的制造方法具有:准备层叠有第一载体金属箔、第二载体金属箔和基体金属箔的多层金属箔,与基材进行层叠而形成芯基板的工序;物理剥离多层金属箔的第一载体金属箔的工序;在第二载体金属箔上进行第一图案镀层的工序;在第一图案镀层上层叠绝缘层而形成层叠体的工序;将层叠体和第二载体金属箔一起从芯基板分离的工序;以及在所分离的层叠体的第二载体金属箔上形成抗蚀剂而进行蚀刻的工序。
申请公布号 CN103119710B 申请公布日期 2015.11.25
申请号 CN201180045417.4 申请日期 2011.09.29
申请人 日立化成株式会社 发明人 田村匡史;杉林学;铃木邦司;服部清男
分类号 H01L23/12(2006.01)I;H05K3/20(2006.01)I;H05K3/24(2006.01)I;H05K3/46(2006.01)I 主分类号 H01L23/12(2006.01)I
代理机构 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人 钟晶;金鲜英
主权项 一种半导体元件搭载用封装基板的制造方法,其具有:准备依次层叠有第一载体金属箔、第二载体金属箔和基体金属箔的多层金属箔,将该多层金属箔的基体金属箔侧与基材进行层叠而形成芯基板的工序,在所述多层金属箔的第一载体金属箔和第二载体金属箔之间物理剥离第一载体金属箔的工序,在保留于所述芯基板的第二载体金属箔上形成第一图案镀层的工序,在包含所述第一图案镀层的第二载体金属箔上层叠绝缘层而形成层叠体的工序,在所述多层金属箔的第二载体金属箔和基体金属箔之间,将所述层叠体与第二载体金属箔一起从芯基板物理剥离而分离的工序,以及在所述剥离后的层叠体的第二载体金属箔上形成抗蚀剂并进行蚀刻,在所述第一图案镀层上或所述绝缘层上形成立体电路的工序。
地址 日本东京都