| 发明名称 | 气体沉积反应器 | ||
| 摘要 | 本发明涉及用于气体沉积方法的反应器，在该方法中，对基体的表面进行交替的起始原料表面反应。反应器包括第一室(2)、安装在第一室(2)内部的第二室(4)以及用于加热第一室(2)的加热装置。根据本发明，反应器还包括一个或多个用于平衡第一室(2)内部温差的传热元件(8)。 | ||
| 申请公布号 | CN102317502B | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
| 申请号 | CN201080007483.8 | 申请日期 | 2010.02.11 |
| 申请人 | BENEQ有限公司 | 发明人 | J·毛拉;H·莱斯基宁;K·海尔克宁 |
| 分类号 | C23C16/52(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I;C23C16/46(2006.01)I;C30B25/10(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/52(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 林振波 |
| 主权项 | 一种用于气体沉积方法的气体沉积反应器，在该方法中对基体的表面进行交替的起始原料表面反应，该气体沉积反应器包括第一室(2)、安装在第一室(2)内部的第二室(4)以及用于间接加热第二室(4)的加热装置，其特征在于，加热装置设于第一室(2)的侧壁(7，9)和/或顶壁或底壁上，气体沉积反应器还包括一个或多个由导热材料制成的传热元件(8)，传热元件设在第一室(2)的内表面和第二室(4)的外表面之间，用于平衡和/或调节第一室(2)内部的温差。 | ||
| 地址 | 芬兰万塔 | ||