| 发明名称 | 一种有机物层刻蚀方法 | ||
| 摘要 | 一种有机物层如底层光刻胶材料层的刻蚀方法，所述刻蚀方法包括：将待刻蚀基片放入等离子反应腔，所述基片上包括刻蚀目标有机物材料层；通入反应气体到等离子反应腔；向反应气体施加射频电能点燃等离子体，对所述基片进行刻蚀；其中所述反应气体包括主刻蚀气体，稀释气体和侧壁保护气体，其中主刻蚀气体分子为O2，稀释气体选自Ar、N2、CO之一或者所述几种气体的混合物，侧壁保护气体为COS，稀释气体流量大于所述主刻蚀气体流量，侧壁保护气体流量小于主刻蚀气体流量。 | ||
| 申请公布号 | CN103227109B | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
| 申请号 | CN201210022073.1 | 申请日期 | 2012.01.31 |
| 申请人 | 中微半导体设备（上海）有限公司 | 发明人 | 凯文·佩尔斯 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/311(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人 | 王洁 |
| 主权项 | 一种有机物层刻蚀方法，所述刻蚀方法包括：将待刻蚀基片放入等离子反应腔，所述基片上包括刻蚀目标层(20)与位于刻蚀目标层(20)上方、由有机物材料构成的底层光刻胶层(13)；通入反应气体到等离子反应腔；向反应气体施加射频电能点燃等离子体，对所述基片的底层光刻胶层(13)进行刻蚀，以在所述底层光刻胶层(13)内形成梯形的剖面结构；其中所述反应气体包括主刻蚀气体，稀释气体和侧壁保护气体，其中主刻蚀气体分子为O<sub>2</sub>，稀释气体选自Ar、N<sub>2</sub>、CO之一或者所述几种气体的混合物，侧壁保护气体为COS，稀释气体流量大于所述主刻蚀气体流量，稀释气体与主刻蚀气体O<sub>2</sub>的流量比为5∶1～10∶1，侧壁保护气体流量小于主刻蚀气体流量，稀释气体的流量与侧壁保护气体COS的流量比在20∶1到6∶1之间。 | ||
| 地址 | 201201 上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号 | ||