发明名称 |
化学气相沉积室的清洁方法 |
摘要 |
本发明公开了一种化学气相沉积室的清洁方法包括通入NF<sub>3</sub>对腔体进行清洗;通入N<sub>2</sub>对腔体进行清洗;通入O<sub>2</sub>对腔体进行清洗;通入C<sub>2</sub>H<sub>2</sub>和惰性气体的混合气体,在腔体内加热垫表面沉积一层非晶碳膜。本发明提供的化学气相沉积室的清洁方法通过将加热垫表面的Al<sub>x</sub>F<sub>y</sub>O<sub>z</sub>上沉积一层非晶碳膜,从而将该金属污染物包裹起来,解决晶圆进入机台后,加热垫上的金属颗粒粘附在晶圆背面,造成晶圆背面金属污染物超标的问题,同时,也解决晶圆进入机台后沉淀薄膜时,晶圆表面微小颗粒数量较多的问题。 |
申请公布号 |
CN103352205B |
申请公布日期 |
2015.11.25 |
申请号 |
CN201310213637.4 |
申请日期 |
2013.05.31 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
朱亚丹;周军 |
分类号 |
C23C16/44(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/44(2006.01)I |
代理机构 |
上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 |
代理人 |
吴世华;林彦之 |
主权项 |
一种化学气相沉积室的清洁方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤S01,通入含有NF<sub>3</sub>的清洗气体并在等离子体中电离出氟离子对化学气相沉积室的腔体进行清洗;步骤S02,通入含有N<sub>2</sub>的清洗气体,通过高频等离子体源对化学气相沉积室的腔体进行清洗;步骤S03,通入含有O<sub>2</sub>的清洗气体,通过高频等离子体源对化学气相沉积室的腔体进行清洗;步骤S04,通入由C<sub>2</sub>H<sub>2</sub>和惰性气体组成的混合气体,在高频电源作用下电离,在腔体内加热垫表面沉积一层非晶碳膜。 |
地址 |
201210 上海市浦东新区张江高斯路497号 |