| 发明名称 | 半导体装置的量测方法、蚀刻方法及形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供的半导体装置的量测方法、蚀刻方法及形成方法，其中，所述半导体装置是将有机抗反射层作为蚀刻阻挡层进行干法蚀刻所获得，所述方法通过在预设温度下、预设时间内热处理所述半导体装置，进而量测机台对所述热处理后的半导体装置作光学式关键尺寸量测；其中，在所述热处理的过程中，半导体装置中的光阻本身含有的溶剂及水分被挥发，所述光阻表面形成不会发生电子吸附的外壳，经过所述热处理的半导体装置表面所形成外壳相对坚硬光滑，不会发生电子吸附的现象，光学式关键尺寸量测会比较清晰准确，如此可从根本上解决量测不准的问题，无需对切片验证，大大提高制程管控能力且省去高昂成本。 | ||
| 申请公布号 | CN105097579A | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
| 申请号 | CN201410189159.2 | 申请日期 | 2014.05.06 |
| 申请人 | 无锡华润上华科技有限公司 | 发明人 | 周耀辉 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人 | 庞聪雅 |
| 主权项 | 一种半导体装置的量测方法，其中，所述半导体装置是将有机抗反射层作为蚀刻阻挡层进行干法蚀刻所获得，其特征在于，所述方法包括：在预设温度下、预设时间内热处理所述半导体装置；量测机台对所述热处理后的半导体装置作光学式关键尺寸量测；其中，在所述热处理的过程中，半导体装置中的光阻本身含有的溶剂及水分被挥发，所述光阻表面形成不会发生电子吸附的外壳。 | ||
| 地址 | 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 | ||