| 发明名称 | 具ESD保护结构的半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种具ESD保护结构的半导体器件，所述半导体器件包括高压功率器件，所述ESD保护结构是NMOS管，所述NMOS管的漏极与所述功率器件的源极共用，功率器件的衬底引出区与NMOS管的衬底引出区和源极连接、作为地线引出。本发明的NMOS管的漏极与功率器件的源极共用，因此加入了ESD保护结构后器件增加的面积较小。且高压功率器件源极处能够得到较低的holding电压，从而保护了栅氧，提高了源极可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN105097795A | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
| 申请号 | CN201410184376.2 | 申请日期 | 2014.05.04 |
| 申请人 | 无锡华润上华半导体有限公司 | 发明人 | 张广胜;张森 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人 | 邓云鹏 |
| 主权项 | 一种具ESD保护结构的半导体器件，所述半导体器件包括功率器件，其特征在于，所述ESD保护结构是NMOS管，所述NMOS管的漏极与所述功率器件的源极共用，功率器件的衬底引出区与NMOS管的衬底引出区和源极连接、作为地线引出。 | ||
| 地址 | 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 | ||