| 发明名称 | 一种降低镍侵蚀的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种降低镍侵蚀的方法，包括在一半导体器件衬底上制备栅极、源漏极，以及包括：清洗半导体器件衬底，然后在源漏极上进行镍沉积，以在源漏极上方形成镍材料；采用物理气相沉积工艺在镍材料上形成一层氮化物层；对半导体器件衬底进行快速热处理工艺，从而使镍材料形成镍硅化物；其中，在快速热处理工艺中，氮化物层抑制镍材料中的镍元素的侧向扩散，从而降低了镍侵蚀，降低了漏电流，以及提高了器件的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN105097472A | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
| 申请号 | CN201510460418.5 | 申请日期 | 2015.07.30 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 何志斌;周军 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人 | 吴世华;陈慧弘 |
| 主权项 | 一种降低镍侵蚀的方法，包括在一半导体器件衬底上制备栅极、源漏极，所述半导体器件衬底的材料包含硅，其特征在于，包括以下步骤：步骤01：清洗所述半导体器件衬底，然后在所述源漏极上进行镍沉积，以在源漏极上方形成镍材料；步骤02：采用物理气相沉积工艺在所述镍材料上形成一层氮化物层；步骤03：对所述半导体器件衬底进行快速热处理工艺，从而使所述镍材料形成镍硅化物；其中，在所述快速热处理工艺中，所述氮化物层抑制所述镍材料中的镍元素沿着所述半导体器件衬底中的硅晶界进行侧向扩散。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 | ||