| 发明名称 | 晶片级热电能量收集器 | ||
| 摘要 | 本发明涉及晶片级热电能量收集器。集成电路可以包括基板和形成在基板上的介电层。多个p型热电元件和多个n型热电元件可设置在介电层内。p型热电元件和n型热电元件可以串联连接，并同时在p型和n型热电元件之间交替。 | ||
| 申请公布号 | CN105098053A | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
| 申请号 | CN201510229765.7 | 申请日期 | 2015.05.08 |
| 申请人 | 美国亚德诺半导体公司 | 发明人 | 陈宝兴;P·M·马克吉尼斯;W·A·拉尼;J·康奈特 |
| 分类号 | H01L35/32(2006.01)I | 主分类号 | H01L35/32(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 秦晨 |
| 主权项 | 一种热电收集器，包括：一对层；设置在层之间的空间内的多个热电元件；和围绕多个热电元件的一个或多个虚设结构，其中所述热电元件以交替的设备类型彼此电串联耦合，和所述热电元件在其相对端被耦合到两个层。 | ||
| 地址 | 美国马萨诸塞州 | ||