| 发明名称 | 一种薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法、显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明实施例提供了一种薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，可有效改善与有源层相接触的绝缘层的界面缺陷，提高TFT导通时的电性能稳定性。该制备方法包括：在衬底基板上形成逐层设置且相互接触的有源层以及绝缘层的步骤；形成所述绝缘层的步骤包括：形成至少一层第一绝缘层；所述至少一层第一绝缘层中的一层与所述有源层相接触；其中，形成所述第一绝缘层的步骤包括：形成由硅氧化物构成的第一绝缘薄膜；利用含填充原子的修复源，对所述第一绝缘薄膜进行修复处理，以使所述第一绝缘薄膜中的至少部分硅悬挂键结合所述填充原子，形成第一绝缘层。用于薄膜晶体管及包括该薄膜晶体管的阵列基板、显示装置的制备。 | ||
| 申请公布号 | CN105097902A | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
| 申请号 | CN201510319258.2 | 申请日期 | 2015.06.11 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 田宏伟;牛亚男;左岳平;徐文清;许晓伟 |
| 分类号 | H01L29/66(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人 | 申健 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：在衬底基板上形成逐层设置且相互接触的有源层以及绝缘层的步骤；形成所述绝缘层的步骤包括：形成至少一层第一绝缘层；其中，所述至少一层第一绝缘层中的一层与所述有源层相接触；形成所述第一绝缘层的步骤包括：形成由硅氧化物构成的第一绝缘薄膜；利用含填充原子的修复源，对所述第一绝缘薄膜进行修复处理，以使所述第一绝缘薄膜中的至少部分硅悬挂键结合所述填充原子，形成第一绝缘层。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||