| 发明名称 |
一种用于减小自加热效应的SOI高压结构 |
| 摘要 |
一种用于减小自加热效应的SOI高压结构，本发明公开了该结构的原理示意图及其制造方法，以减弱SOI高压结构中埋层存在的自加热效应。其中该结构，包括通常的传统的SOI高压结构以及由新材料以不同于传统埋层结构的新型埋层。该材料在不影响或者少量影响器件其他原有属性的情况下，明显降低了自加热效应。该专利包括这种新型结构的材料、结构以及制备方法。 |
| 申请公布号 |
CN105097732A |
申请公布日期 |
2015.11.25 |
| 申请号 |
CN201410216640.6 |
申请日期 |
2014.05.22 |
| 申请人 |
上海北京大学微电子研究院 |
发明人 |
徐帆;陈昭;蒋乐乐 |
| 分类号 |
H01L23/373(2006.01)I;H01L23/367(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/373(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种用于减小自加热效应的SOI高压结构，包括顶层硅、介质埋层及位于埋层下方的衬底，其特征在于，衬底层为N型硅或者P型硅，顶层硅和衬底层之间通过介质埋层进行隔离。 |
| 地址 |
201203 上海市浦东新区盛夏路608号 |
