发明名称 一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示装置
摘要 本发明实施例公开了一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示装置,属于半导体技术领域。该薄膜晶体管包括:基板、以及形成于基板上的有源层、源极、栅极和漏极,有源层的两端分别与所述源极和所述漏极连接,栅极包括顶栅和底栅,顶栅包括顶栅顶部和与顶栅顶部连接的顶栅侧部,顶栅顶部和底栅在垂直于基板的方向上相对设置,有源层夹设于顶栅顶部和底栅之间,顶栅侧部从顶栅顶部朝向基板延伸,有源层的侧壁至少部分被顶栅侧部围绕,栅极、源极和漏极均采用非透明的导电材料制成。本发明实施例的薄膜晶体管可以防止有源层被光照射,进而提高薄膜晶体管的特性。
申请公布号 CN105097941A 申请公布日期 2015.11.25
申请号 CN201510282237.8 申请日期 2015.05.28
申请人 京东方科技集团股份有限公司 发明人 孔祥永;朱夏明;刘晓娣
分类号 H01L29/786(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/66(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I 主分类号 H01L29/786(2006.01)I
代理机构 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 代理人 徐立
主权项 一种薄膜晶体管,包括:基板、以及形成于所述基板上的有源层、源极、栅极和漏极,所述有源层的两端分别与所述源极和所述漏极连接,其特征在于,所述栅极包括顶栅和底栅,所述顶栅包括顶栅顶部和与所述顶栅顶部连接的顶栅侧部,所述顶栅顶部和所述底栅在垂直于所述基板的方向上相对设置,所述有源层夹设于所述顶栅顶部和所述底栅之间,所述顶栅侧部从所述顶栅顶部朝向所述基板延伸,所述有源层的侧壁至少部分被所述顶栅侧部围绕,所述栅极、所述源极和所述漏极均采用非透明的导电材料制成。
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