电流感测功率MOSFET中负载电流与感测电流比的调整

摘要

本公开描述了用于调整电流感测功率MOSFET的k_ILIS因数的技术。该技术可以包括：基于可配置函数生成参考电压，所述可配置函数将参考电压定义为两个以上的主端子电压的函数，在形成电流感测功率MOSFET的主端子的金属化物上的两个以上的不同位置处获取两个以上的主端子电压；以及调整基于参考电压确定的电压处的电流感测功率MOSFET的感测端子。使用两个以上的主端子电压的可配置函数来调整电流感测功率MOSFET的感测端子可以允许调整感测端子的电压被整理，以便提升电流感测功率MOSFET产生的k_ILIS因数的精确度。

主权项

一种方法，包括：基于可配置函数生成参考电压，所述可配置函数将所述参考电压定义为两个以上的主端子电压的函数，在形成电流感测功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的主端子的金属化物上的两个以上的不同位置处获取所述两个以上的主端子电压；以及在基于所述参考电压确定的电压下调整所述电流感测功率MOSFET的感测端子。