수직 메모리에서의 부동 게이트 메모리 셀들. 제어 게이트는 유전 재료의 제 1 티어 및 유전 재료의 제 2 티어 사이에서 형성된다. 부동 게이트는 유전 재료의 제 1 티어 및 유전 재료의 제 2 티어 사이에 형성되며, 부동 게이트는 제어 게이트 쪽으로 연장된 돌출부를 포함한다. 전하 차단 구조는 부동 게이트 및 제어 게이트 사이에 형성되며, 전하 차단 구조의 적어도 일 부분은 돌출부를 감싼다.
申请公布号
KR20150132470(A)
申请公布日期
2015.11.25
申请号
KR20157029545
申请日期
2014.03.05
申请人
MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人
DENNISON CHARLES H.;GODA AKIRA;HOPKINS JOHN;SIMSEK EGE FATMA ARZUM;PARAT KRISHNA K.
