发明名称 |
实现高动态CMOS图像传感器的方法 |
摘要 |
一种实现高动态CMOS图像传感器的方法,CMOS图像传感器为4T结构的CMOS图像传感器;包括:向复位晶体管输入第一时序脉冲信号,控制复位晶体管在有脉冲信号时开启以使浮置扩散区复位;向浮置扩散区所在的阱区输入第二时序脉冲信号,第二时序脉冲信号的脉冲时间与第一时序脉冲信号的脉冲时间相同,第二时序脉冲信号与外界光强匹配,以使浮置扩散区的结电容为随外界光强变化的可变电容。以此来达到随着外界的光强调整浮置扩散区的结电容的目的,以实现高动态CMOS图像传感器。 |
申请公布号 |
CN102354698B |
申请公布日期 |
2015.11.25 |
申请号 |
CN201110298506.1 |
申请日期 |
2011.09.28 |
申请人 |
上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
饶金华;巨晓华;周雪梅 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01)I;H04N5/374(2011.01)I |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
骆苏华 |
主权项 |
一种实现高动态CMOS图像传感器的方法,所述CMOS图像传感器为4T结构的CMOS图像传感器,包括复位晶体管、传输晶体管、源跟随晶体管和行选通晶体管,所述传输晶体管和复位晶体管之间为浮置扩散区,所述浮置扩散区位于阱区内;其特征在于,包括:向所述复位晶体管输入第一时序脉冲信号,控制所述复位晶体管在有脉冲信号时开启以使所述浮置扩散区复位;向所述浮置扩散区所在的阱区输入第二时序脉冲信号,所述第二时序脉冲信号的脉冲时序与所述第一时序脉冲信号的脉冲时序相同,所述第二时序脉冲信号与外界光强匹配,以使所述浮置扩散区的结电容为随外界光强变化的可变电容。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 |