器件设计尺寸的提取方法

摘要

本发明提供一种器件设计尺寸的提取方法，该方法包括将器件中的每层平面图形和CD Bar放置在平面图形对应的掩膜版上；采用多种曝光条件，分别对每个掩膜版上的平面图形和CD Bar进行曝光处理，使得每个掩膜版上的不同曝光条件下的平面图形和CD Bar转移到掩膜版对应的样品晶片上；对于每个样品晶片，量取样品晶片上每个曝光条件下的CD Bar的数值，并获取样品晶片上的最佳曝光条件；其中，最佳曝光条件下的CD Bar的数值与CD Bar的实际设计尺寸之差均小于除最佳曝光条件之外的其他曝光条件下的CD Bar的数值与CD Bar的实际设计尺寸之差；分别对每个样品晶片上最佳曝光条件下的平面图形进行测量，获取器件中每层平面图形的设计尺寸。

主权项

一种器件设计尺寸的提取方法，其特征在于，包括：分别将器件中的每层平面图形和CD Bar放置在所述平面图形对应的掩膜版上；对于每个所述掩膜版，采用多种曝光条件，分别对所述掩膜版上的平面图形和CD Bar进行曝光处理，使得所述掩膜版上的不同曝光条件下的平面图形和CD Bar转移到所述掩膜版对应的样品晶片上；对于每个所述样品晶片，量取所述样品晶片上每个曝光条件下的CD Bar的数值，并分别将每个曝光条件下的CD Bar的数值和CD Bar的实际设计尺寸对比，获取所述样品晶片上的最佳曝光条件；其中，所述最佳曝光条件下的CD Bar的数值与CD Bar的实际设计尺寸之差均小于除最佳曝光条件之外的其他曝光条件下的CD Bar的数值与CD Bar的实际设计尺寸之差；分别对每个样品晶片上所述最佳曝光条件下的平面图形进行测量，获取所述器件中每层平面图形的设计尺寸。