一种具有阶梯形屏蔽槽耐压结构及双漏极结构的SOI高压器件

摘要

本发明公开了一种新的可用于集成电路的具有阶梯形屏蔽槽耐压结构及双漏极结构的SOI高压金属氧化物半导体场效应管器件，本发明公开了一种新型SOI高压器件的结构，器件在使用场板技术、表面P降场层的双RESURF技术来提高横向击穿电压的同时；其特征在于：此器件具有双漏电极，增加了耗尽区与漏区的面积，减弱了横向电常，提高了横向击穿电压；对于器件的纵向耐压，器件通过在Si和埋层Si0₂界面上形成了阶梯形的屏蔽槽的结构来解决。

主权项

一种具有阶梯形屏蔽槽耐压结构以及具有双漏极结构的SOI高压双扩散金属氧化物半导体场效应管器件，器件的横向耐压仍使用场板技术、表面P降场层的双RESURF技术来解决；其特征是：此器件具有双漏电极，增加了耗尽区与漏区的面积，减弱了横向电常，提高了横向击穿电压；对于器件的纵向耐压，器件是通过在Si和埋层Si0₂界面上形成了阶梯形的屏蔽槽的结构来解决。