发明名称 一种反应腔室及半导体加工设备
摘要 本发明公开了一种反应腔室,包括由下垫块、侧壁和上盖板构成的封闭的腔体和设于所述腔体内的平板加热器组件,上盖板与所述平板加热器组件之间设有匀流板,匀流板与上盖板之间形成匀流腔,上盖板上设有进气组件,进气组件的出气口与所述匀流腔连通,进气组件的出气口前方一定距离设有气流挡板。本发明的反应腔室工艺气体进入反应腔室之前经过两次匀流,具有工艺气体进入速度快、气体分布均匀的优点,改善了工艺质量,提高了半导体材料的成膜质量,且工艺气体直接从腔体顶部进入反应腔室,提高工艺气体进入反应腔室的速度。
申请公布号 CN105088193A 申请公布日期 2015.11.25
申请号 CN201510625538.6 申请日期 2015.09.28
申请人 湖南红太阳光电科技有限公司 发明人 张宇;田湘龙;吴德轶;胡昌文
分类号 C23C16/455(2006.01)I 主分类号 C23C16/455(2006.01)I
代理机构 湖南兆弘专利事务所 43008 代理人 周长清;戴玲
主权项 一种反应腔室,包括由下垫块(1)、侧壁(2)和上盖板(3)构成的封闭的腔体和设于所述腔体内的平板加热器组件(4),其特征在于:所述上盖板(1)与所述平板加热器组件(4)之间设有匀流板(5),所述匀流板(5)与上盖板(1)之间形成匀流腔(6),所述上盖板(1)上设有进气组件(7),所述进气组件(7)的出气口与所述匀流腔(6)连通,所述进气组件(7)的出气口前方一定距离设有气流挡板(8)。
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