| 发明名称 | 接触插塞的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种接触插塞的形成方法，包括：提供基底；在所述基底上形成层间介质层；在所述层间介质层上形成高K介质层；依次蚀刻所述高K介质层和所述层间介质层至露出所述基底形成接触孔；沿所述接触孔，继续蚀刻所述高K介质层，直至所述接触孔位于所述高K介质层部分的直径增大；采用导电材料填充满所述接触孔。所述接触插塞的形成方法既能够降低接触插塞的形成难度，又能够提高所形成接触插塞的质量。 | ||
| 申请公布号 | CN105097650A | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
| 申请号 | CN201410184887.4 | 申请日期 | 2014.05.04 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 张海洋;黄敬勇;何其暘 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 吴圳添;骆苏华 |
| 主权项 | 一种接触插塞的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成层间介质层；在所述层间介质层上形成高K介质层；依次蚀刻所述高K介质层和所述层间介质层至露出所述基底形成接触孔；沿所述接触孔，继续蚀刻所述高K介质层，直至所述接触孔位于所述高K介质层部分的直径增大；采用导电材料填充满所述接触孔。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||