| 发明名称 | 氧化物薄膜晶体管、阵列基板及各自制备方法、显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种氧化物薄膜晶体管、阵列基板及各自制备方法、显示装置，属于显示技术领域。本发明的氧化物薄膜晶体管的制备方法，其包括：在基底上方，通过构图工艺形成包括氧化物薄膜晶体管的有源层和源极、漏极的图形；以及，对完成上述步骤的基底进行退火的步骤。采用本发明的制备方法所制备的氧化物薄膜晶体管的性能稳定。 | ||
| 申请公布号 | CN105097548A | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
| 申请号 | CN201510350266.3 | 申请日期 | 2015.06.23 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 王珂 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 柴亮;张天舒 |
| 主权项 | 一种氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：在基底上方，通过构图工艺形成包括氧化物薄膜晶体管的有源层和源极、漏极的图形；以及，对完成上述步骤的基底进行退火的步骤。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||