发明名称 半导体元件的终端结构及其制造方法
摘要 本发明提供一种半导体元件的终端结构及其制造方法。半导体元件包含主动区及与主动区相邻的终端区,其中终端区具有终端结构。终端结构包含基板、磊晶层、介电层、导电材料层及导电层。磊晶层设置于基板上,且具有一耐压区。耐压区具有多个沟槽,其中各沟槽是彼此平行排列。介电层设置于沟槽内及部分磊晶层上。导电材料层设置于沟槽内的介电层上。导电层覆盖沟槽,接触导电材料层及部分磊晶层,且电性连接主动区及终端区。
申请公布号 CN105097889A 申请公布日期 2015.11.25
申请号 CN201410200466.6 申请日期 2014.05.13
申请人 帅群微电子股份有限公司 发明人 叶俊莹;李元铭
分类号 H01L29/06(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I 主分类号 H01L29/06(2006.01)I
代理机构 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人 徐金国
主权项 一种半导体元件的终端结构,其特征在于,该半导体元件包含一主动区及一终端区与该主动区相邻,该终端区具有该终端结构,该终端结构包含:一基板;一磊晶层,设置于该基板上,该磊晶层具有一耐压区,且该耐压区具有多个第一沟槽,其中所述第一沟槽沿一第一方向延伸且彼此平行排列;一介电层,设置于每一第一沟槽内及部分该磊晶层上;一导电材料层,设置于每一第一沟槽内的该介电层上;以及一导电层,覆盖所述第一沟槽,接触该导电材料层及部分该磊晶层,且电性连接该主动区。
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