| 发明名称 | 电介质层及电介质层的制造方法、以及固态电子装置及固态电子装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种可压低漏电流并且平坦性优异的相对介电常数高的电介质层。本发明的电介质层(30a)包含层叠氧化物，所述层叠氧化物层叠第一氧化物层(31)和第二氧化物层(32)而成，其中所述第一氧化物层(31)通过由铋(Bi)和铌(Nb)形成的氧化物、或由铋(Bi)和锌(Zn)和铌(Nb)形成的氧化物(可包含不可避免的杂质)构成，所述第二氧化物层(32)由选自由镧(La)和钽(Ta)形成的氧化物、由镧(La)和锆(Zr)形成的氧化物、及由锶(Sr)和钽(Ta)形成的氧化物中的一种氧化物(可包含不可避免的杂质)构成。 | ||
| 申请公布号 | CN105103277A | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
| 申请号 | CN201480011857.1 | 申请日期 | 2014.03.12 |
| 申请人 | 国立研究开发法人科学技术振兴机构 | 发明人 | 下田达也;德光永辅;尾上允敏;宫迫毅明 |
| 分类号 | H01L21/316(2006.01)I;C01G33/00(2006.01)I;C01G35/00(2006.01)I;C01G53/00(2006.01)I;H01L21/8246(2006.01)I;H01L27/105(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/316(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人 | 钟守期;杨勇 |
| 主权项 | 一种电介质层，其包含由第一氧化物层和第二氧化物层层叠而成的层叠氧化物，其中，所述第一氧化物层由可含有不可避免的杂质且由铋(Bi)和铌(Nb)形成的氧化物或由铋(Bi)、锌(Zn)和铌(Nb)形成的氧化物构成，所述第二氧化物层由可含有不可避免的杂质且选自由镧(La)和钽(Ta)形成的氧化物、由镧(La)和锆(Zr)形成的氧化物、及由锶(Sr)和钽(Ta)形成的氧化物中的一种氧化物构成。 | ||
| 地址 | 日本埼玉县川口市 | ||