一种半导体器件及其制备方法、电子装置

摘要

本发明提供了一种半导体器件及其制备方法、电子装置。所述制备方法包括提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有若干个包括浮栅结构和掩膜层的叠层，在相邻的所述叠层之间形成有向下延伸至所述半导体衬底中的浅沟槽隔离结构；去除所述掩膜层，以露出所述浮栅结构和所述浅沟槽隔离结构中的孔洞；沉积具有低台阶覆盖能力的牺牲材料层，以填充所述孔洞并覆盖所述浮栅结构；去除部分所述牺牲材料层，以再次露出所述浮栅结构；去除剩余的所述牺牲材料层和所述浅沟槽隔离结构中的部分氧化物，以露出所述浮栅结构的部分侧壁。本发明所述方法可以提高半导体器件的性能和良率。

主权项

一种半导体器件的制备方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有若干个包括浮栅结构和掩膜层的叠层，在相邻的所述叠层之间形成有向下延伸至所述半导体衬底中的浅沟槽隔离结构；去除所述掩膜层，以露出所述浮栅结构和所述浅沟槽隔离结构中的孔洞；沉积具有低台阶覆盖能力的牺牲材料层，以填充所述孔洞并覆盖所述浮栅结构；去除部分所述牺牲材料层，以再次露出所述浮栅结构；去除剩余的所述牺牲材料层和所述浅沟槽隔离结构中的部分氧化物，以露出所述浮栅结构的部分侧壁。