一种FinFET半导体器件以及制备方法

摘要

本发明涉及一种FinFET半导体器件以及制备方法，所述方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底上形成有第一隔离材料层以及嵌于第一隔离材料层内的第一鳍片；去除第一鳍片，以在第一隔离材料层内形成凹槽；选用第一半导体材料填充所述凹槽，以形成第二鳍片；去除部分所述第一隔离材料层，以露出部分第二鳍片；在露出的部分第二鳍片上外延第一半导体材料，以形成横截面为多边形的顶部结构；执行H₂烘烤的步骤，以钝化多边形的顶部结构，形成横截面为圆形的顶部结构；在所述横截面为圆形的顶部结构上外延生长第二半导体材料层，以包裹横截面为圆形的顶部结构；去除所述第一隔离材料层和所述第二鳍片，以形成底部具有开口的横截面为空心环状的鳍片结构。

主权项

一种FinFET半导体器件的制备方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有第一隔离材料层以及嵌于所述第一隔离材料层内的第一鳍片；去除所述第一鳍片，以在所述第一隔离材料层内形成凹槽；选用第一半导体材料填充所述凹槽，以形成第二鳍片；去除部分所述第一隔离材料层，以露出部分所述第二鳍片；在露出的部分所述第二鳍片上外延所述第一半导体材料，以形成横截面为多边形的顶部结构；执行H₂烘烤的步骤，以钝化所述多边形的顶部结构，形成横截面为圆形的顶部结构；在所述横截面为圆形的顶部结构上外延生长第二半导体材料层，以包裹所述横截面为圆形的顶部结构；去除所述第一隔离材料层和所述第二鳍片，以形成底部具有开口的横截面为空心环状的鳍片结构。