| 发明名称 | 一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及显示技术领域，公开一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置，能够解决薄膜晶体管中有源层在背沟道刻蚀工艺中易被损伤的问题，从而可以使用背沟道刻蚀工艺进行制备薄膜晶体管，以减少构图工艺次数，降低成本。上述薄膜晶体管包括：栅极、有源层、源极和漏极，所述源极和漏极包括设置于有源层上的第一导电层，所述第一导电层包括在对应刻蚀液中的刻蚀速率大于有源层材料的刻蚀速率的材料。 | ||
| 申请公布号 | CN105097943A | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
| 申请号 | CN201510354328.8 | 申请日期 | 2015.06.24 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 王龙彦;李永谦;盖丽;李全虎;张保侠;尹静文;曹昆;吴仲远;王刚 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L21/34(2006.01)I;H01L29/45(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 黄志华 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，包括栅极、有源层、源极和漏极，其特征在于，所述源极和漏极包括设置于有源层上的第一导电层；其中：在对应的刻蚀液中，所述第一导电层的材料的刻蚀速率大于所述有源层的材料的刻蚀速率。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||