发明名称 背接触电池及其制作方法和太阳能电池组件
摘要 本发明公开了一种背接触电池及其制作方法和太阳能电池组件。该背接触电池包括至少一对第一主栅和第二主栅,所有第一主栅和第二主栅在该第一导电类型衬底的背面被设置为:在第一导电类型衬底绕其几何中心旋转180°后的旋转图样中,该旋转图样中的第一主栅位于该第一导电类型衬底的第二主栅的延长线上,该旋转图样中的第二主栅位于该第一导电类型衬底的第一主栅的延长线上。由于相邻太阳能电池片之间的连接通过在主栅长度方向上将主栅相连来实现,由此包括每对主栅的单元之间形成的是并联结构,所有导电条的电阻等效为并联电阻,有效降低了导电条电阻对太阳能电池组件的影响。
申请公布号 CN105097987A 申请公布日期 2015.11.25
申请号 CN201410208378.0 申请日期 2014.05.16
申请人 上海凯世通半导体有限公司 发明人 陈炯;洪俊华;王懿喆;金光耀;沈培俊
分类号 H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/05(2014.01)I 主分类号 H01L31/18(2006.01)I
代理机构 上海弼兴律师事务所 31283 代理人 薛琦
主权项 一种背接触电池的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、在第一导电类型衬底的背面形成第二导电类型掺杂层;S2、在该第一导电类型衬底的背面上形成具有图样的第一掩膜,未被该第一掩膜覆盖的区域为开放区域;S3、蚀刻去除该开放区域的第二导电类型掺杂层,蚀刻深度大于该第二导电类型掺杂层的厚度,未经蚀刻的第二导电类型掺杂层为第二导电类型区域;S4、对该开放区域进行第一导电类型离子注入以在该第一导电类型衬底的背面中形成第一导电类型掺杂区域,去除该第一掩膜;S5、在该第一导电类型衬底的背面覆盖保护层,采用热扩散工艺在该第一导电类型衬底的正面形成第一导电类型掺杂层,同时修复离子注入的损伤,该保护层用于避免该第一导电类型衬底的背面形成扩散掺杂,在该第一导电类型掺杂层形成之后去除该保护层以及在扩散过程中产生的氧化层;S6、在该第一导电类型衬底的正面和背面形成钝化层;S7、在该第一导电类型衬底的背面丝网印刷或者喷印或者电镀形成第一副栅和第二副栅以及至少一对第一主栅和第二主栅,所有第一主栅和第二主栅间隔设置且相互平行,该第一副栅位于该第一导电类型衬底的背面与该第一导电类型掺杂区域相应的位置且连接该第一导电类型掺杂区域,该第二副栅位于该第一导电类型衬底的背面与该第二导电类型掺杂区域相应的位置且连接该第二导电类型掺杂区域,第一副栅和第二副栅间隔设置、相互平行,且第一副栅与第一主栅相交,第二副栅和第二主栅相交,所有第一主栅和第二主栅在该第一导电类型衬底的背面被设置为:在该第一导电类型衬底绕其几何中心旋转180°后的旋转图样中,该旋转图样中的第一主栅位于该第一导电类型衬底的第二主栅的延长线上,该旋转图样中的第二主栅位于该第一导电类型衬底的第一主栅的延长线上。
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区牛顿路200号7号楼1号