发明名称 |
一种嵌入式籽晶生长REBCO准单晶体的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种嵌入式籽晶生长REBCO准单晶体的方法,包括如下工序:a)制备RE123相的粉末;b)制备嵌入式籽晶的前驱体;c)将嵌入式籽晶的前驱体置于生长炉中进行熔融织构法生长REBCO准单晶体;其中,工序b)中的前驱体为工序a)获得的RE123相的粉末按RE123+(0.3~1.5)wt%CeO<sub>2</sub>的比例混合均匀,压制而成的圆柱形前驱体;嵌入式籽晶是指在压制过程中,将籽晶的诱导生长面水平地固定嵌入前驱体的内部。本发明的籽晶嵌入到REBCO前驱体内,有效抑制薄膜籽晶中的稀土元素的溶解和扩散,保证薄膜在高温状态的结构完整,提高薄膜的热稳定性,进而利于REBCO准单晶体的制备。 |
申请公布号 |
CN103614775B |
申请公布日期 |
2015.11.25 |
申请号 |
CN201310628510.9 |
申请日期 |
2013.11.29 |
申请人 |
上海交通大学 |
发明人 |
姚忻;王伟;彭波南;郭林山;陈媛媛;庄宇峰;李昊辰 |
分类号 |
C30B29/22(2006.01)I;C30B11/14(2006.01)I;C30B28/06(2006.01)I |
主分类号 |
C30B29/22(2006.01)I |
代理机构 |
上海旭诚知识产权代理有限公司 31220 |
代理人 |
郑立 |
主权项 |
一种嵌入式籽晶生长REBCO准单晶体的方法,包括如下工序:a)制备RE123相的粉末;b)制备嵌入式籽晶的前驱体;c)将所述嵌入式籽晶的前驱体置于生长炉中进行熔融织构法生长REBCO准单晶体;其特征在于,所述工序b)中的前驱体为工序a)获得的RE123相的粉末按RE123+(0.3~1.5)wt%CeO<sub>2</sub>的比例混合均匀,压制而成的圆柱形前驱体;所述嵌入式籽晶是指在压制过程中,将籽晶的诱导生长面水平地固定嵌入所述前驱体的中央区域的内部;其中,RE为Y、Gd或Sm;所述工序c)中,RE123+(0.3~1.5)wt%CeO<sub>2</sub>的比例是指:RE123和CeO<sub>2</sub>的质量比为1:(0.3~1.5)%;所述工序c)的所述籽晶是NdBCO/MgO薄膜籽晶或NdBCO/YBCO/MgO薄膜籽晶。 |
地址 |
200240 上海市闵行区东川路800号 |