发明名称 ZnO BASED SPUTTERING TARGET AND PHOTOVOLTAIC CELL HAVING PASSIVATION LAYER DEPOSITED BY THE SAME
摘要 <p>본 발명은 산화아연계 스퍼터링 타겟 및 이를 통해 증착된 보호층을 갖는 광전지에 관한 것으로서 더욱 상세하게는 DC 스퍼터링이 가능하고, CIGS 화합물로 이루어지는 광 흡수층에서 갈륨의 계면 확산으로 인한 광 흡수층의 조성 변질을 방지함으로써, 광 흡수층의 효율 저하를 방지할 수 있는 보호층 증착이 가능한 산화아연계 스퍼터링 타겟 및 이를 통해 증착된 보호층을 갖는 광전지에 관한 것이다.이를 위해, 본 발명은, 산화갈륨이 60~80wt% 포함된 산화아연으로 이루어진 소결체; 및 상기 소결체의 후면에 접합되어 상기 소결체를 지지하는 백킹 플레이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화아연계 스퍼터링 타겟 및 이를 통해 증착된 보호층을 갖는 광전지를 제공한다.</p>
申请公布号 KR101571652(B1) 申请公布日期 2015.11.25
申请号 KR20130120685 申请日期 2013.10.10
申请人 삼성코닝어드밴스드글라스 유한회사 发明人 고황용;박주옥;서수영;이윤규
分类号 C04B35/453;C23C14/34;H01L31/04 主分类号 C04B35/453
代理机构 代理人
主权项
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