发明名称 |
一种用于晶体生长的坩埚 |
摘要 |
本实用新型提供了一种用于晶体生长的坩埚,包括:坩埚壁和坩埚底,所述坩埚底设置有籽晶槽,其特征在于,所述坩埚壁包括坩埚内壁和坩埚外壁,所述坩埚内壁和坩埚外壁具有倾角;所述坩埚内壁的倾角大于所述坩埚外壁的倾角。本实用新型提供的坩埚侧壁上沿薄,下端厚,使得坩埚上沿散热面积减少,降低其向上的传热量,有利于改善坩埚内的热流情况和液流状况,起到稳定晶体生长界面的作用,提高晶体的产品质量。 |
申请公布号 |
CN204803434U |
申请公布日期 |
2015.11.25 |
申请号 |
CN201520468904.7 |
申请日期 |
2015.07.01 |
申请人 |
清远先导材料有限公司 |
发明人 |
狄聚青;朱刘;胡丹 |
分类号 |
C30B11/00(2006.01)I |
主分类号 |
C30B11/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
赵青朵 |
主权项 |
一种用于晶体生长的坩埚,包括:坩埚壁和坩埚底,所述坩埚底设置有籽晶槽,其特征在于,所述坩埚壁包括坩埚内壁和坩埚外壁,所述坩埚内壁和坩埚外壁具有倾角;所述坩埚内壁的倾角大于所述坩埚外壁的倾角。 |
地址 |
511517 广东省清远市高新区百嘉工业园27-9号 |