发明名称 一种用于晶体生长的坩埚
摘要 本实用新型提供了一种用于晶体生长的坩埚,包括:坩埚壁和坩埚底,所述坩埚底设置有籽晶槽,其特征在于,所述坩埚壁包括坩埚内壁和坩埚外壁,所述坩埚内壁和坩埚外壁具有倾角;所述坩埚内壁的倾角大于所述坩埚外壁的倾角。本实用新型提供的坩埚侧壁上沿薄,下端厚,使得坩埚上沿散热面积减少,降低其向上的传热量,有利于改善坩埚内的热流情况和液流状况,起到稳定晶体生长界面的作用,提高晶体的产品质量。
申请公布号 CN204803434U 申请公布日期 2015.11.25
申请号 CN201520468904.7 申请日期 2015.07.01
申请人 清远先导材料有限公司 发明人 狄聚青;朱刘;胡丹
分类号 C30B11/00(2006.01)I 主分类号 C30B11/00(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 赵青朵
主权项 一种用于晶体生长的坩埚,包括:坩埚壁和坩埚底,所述坩埚底设置有籽晶槽,其特征在于,所述坩埚壁包括坩埚内壁和坩埚外壁,所述坩埚内壁和坩埚外壁具有倾角;所述坩埚内壁的倾角大于所述坩埚外壁的倾角。
地址 511517 广东省清远市高新区百嘉工业园27-9号