发明名称 一种反占空比的方波信号放大电路
摘要 本实用新型提出一种反占空比的方波信号放大电路,具有输入端和输出端,其特征在于:主要系由第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管组成,所述第一PMOS管与第一NMOS管串联接于第一电源端与地端之间,且第一PMOS管的栅极和第一NMOS管的栅极共同连接至所述输入端,第一PMOS管与第一NMOS管的连接点连接至所述输出端;所述第二PMOS管的栅极连接所述输出端,其源极连接所述第一电源端,其漏极连接至所述第一PMOS管的栅极;第二NMOS管连接于所述输入端与第一PMOS管、第一NMOS管的栅极之间,所述第二NMOS管的栅极连接至第二电源端。本实用新型电路结构简单、实用,只需调整第一电源端的电压值便可轻松获得所需电压幅值,方便电子工程师灵活获取适合幅值的方波信号。
申请公布号 CN204810246U 申请公布日期 2015.11.25
申请号 CN201520422597.9 申请日期 2015.06.18
申请人 中山芯达电子科技有限公司 发明人 方镜清
分类号 H03K5/13(2014.01)I 主分类号 H03K5/13(2014.01)I
代理机构 中山市铭洋专利商标事务所(普通合伙) 44286 代理人 邹常友
主权项 一种反占空比的方波信号放大电路,具有输入端和输出端,其特征在于:主要系由第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管组成,所述第一PMOS管与第一NMOS管串联接于第一电源端与地端之间,且第一PMOS管的栅极和第一NMOS管的栅极共同连接至所述输入端,第一PMOS管与第一NMOS管的连接点连接至所述输出端;所述第二PMOS管的栅极连接所述输出端,其源极连接所述第一电源端,其漏极连接至所述第一PMOS管的栅极;第二NMOS管连接于所述输入端与第一PMOS管、第一NMOS管的栅极之间,所述第二NMOS管的栅极连接至第二电源端;所述第一电源端具有第一直流电压,所述第二电源端具有第二直流电压。
地址 528400 广东省中山市火炬开发区会展东路16号数码大厦1410室