发明名称 |
一种具有氮镁共掺杂p型氧化锌薄膜的激光二极管 |
摘要 |
本发明公开了一种采用氮镁共掺杂p型氧化锌薄膜的激光二极管,该激光二极管的结构为:n型氧化镍薄膜,其形成在蓝宝石衬底的上表面上;氮镁共掺杂p型氧化锌薄膜,其形成在所述n型氧化镍薄膜的上表面上,以及底电极,其形成在所述n型氧化镍薄膜下表面上,顶电极,其形成在所述氮镁共掺杂p型氧化锌薄膜的上表面上。 |
申请公布号 |
CN103166111B |
申请公布日期 |
2015.11.25 |
申请号 |
CN201310065239.2 |
申请日期 |
2013.03.01 |
申请人 |
溧阳华晶电子材料有限公司 |
发明人 |
钱时昌 |
分类号 |
H01S5/327(2006.01)I |
主分类号 |
H01S5/327(2006.01)I |
代理机构 |
南京天翼专利代理有限责任公司 32112 |
代理人 |
蒋家华 |
主权项 |
一种采用氮镁共掺杂p型氧化锌薄膜的激光二极管,该激光二极管的结构为:n型氧化镍薄膜,其形成在蓝宝石衬底的上表面上;氮镁共掺杂p型氧化锌薄膜,其形成在所述n型氧化镍薄膜的上表面上,以及底电极,其形成在所述n型氧化镍薄膜下表面上,顶电极,其形成在所述氮镁共掺杂p型氧化锌薄膜的上表面上;其中,所述氮镁共掺杂p型氧化锌薄膜的厚度为300‑400nm,该氮镁共掺杂p型氧化锌薄膜中Mg的摩尔百分含量是5‑11%,氮的摩尔百分含量是0.8‑1.7%;所述n型氧化镍薄膜的厚度为300‑600nm;其中,在常温下,氮镁共掺杂的p型ZnO晶体薄膜的压电常数d<sub>33</sub>大于16pC/N,其电阻率大于2×10<sup>10</sup>Ω·cm;采用金、银、铜或ITO来构成底电极和顶电极。 |
地址 |
213300 江苏省常州市溧阳市戴埠镇西工业大道8号 |