发明名称 溅镀薄膜形成装置
摘要 本发明的目的是提供一种能够以较快的速度进行溅镀处理的溅镀薄膜形成装置。溅镀薄膜形成装置(10)具备下述构成:真空容器(11)、设于真空容器(11)内的靶保持器(13)、设成与靶保持器(13)相对向的基板保持器(14)、用以在靶保持器(13)与基板保持器(14)之间施加电压的电源(15)、设置于靶保持器(13)背面的用以生成具有与靶(T)平行的分量的磁场的磁控管溅镀用磁铁(12)、用以在磁控管溅镀用磁铁(12)所生成的规定强度以上的磁场所存在的靶T附近的区域生成高频感应耦合等离子的高频天线(16)。藉由以高频天线(16)所生成的高频感应耦合等离子,可促进电子供给至上述磁场内,故可以较快的速度进行溅镀处理。
申请公布号 CN102144044B 申请公布日期 2015.11.25
申请号 CN200980133584.7 申请日期 2009.08.25
申请人 EMD株式会社 发明人 节原裕一;江部明宪;韩铨建
分类号 C23C14/40(2006.01)I;H05H1/46(2006.01)I 主分类号 C23C14/40(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 张远
主权项 一种溅镀薄膜形成装置,其特征在于,具备:a)真空容器;b)设于该真空容器内的靶保持单元;c)设置成与该靶保持单元相对向的基板保持单元;d)用于将等离子生成气体导入到该真空容器内的等离子生成气体导入单元;e)用于在该靶保持单元与该基板保持单元之间生成直流电场或高频电场的电场生成单元;f)用于在以该靶保持单元所保持的溅镀靶的表面生成具有与该溅镀靶表面平行的分量的磁场的磁场生成单元;和g)用于在该溅镀靶附近即该磁场生成单元所生成的规定强度以上的磁场所存在的区域生成高频感应耦合等离子的高频感应耦合等离子生成单元,所述高频感应耦合等离子生成单元为由圈数未满1圈的线状导体构成的线圈,并且由该线状导体所包围的区域与所述溅镀靶表面相垂直地配置在所述靶保持单元的侧面。
地址 日本京都府