| 发明名称 | 无定形碳层的处理与形成方法、半导体器件的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种处理无定形碳层的方法，所述方法包括对形成的无定形碳层进行紫外线处理；其中，在300-550℃的温度条件下、氦气(He)环境中，进行所述紫外线处理。本发明还提供一种高厚度无定形碳层的形成方法，以及利用上述无定形碳层制作半导体器件的方法。本发明通过对形成的无定形碳层进行紫外线处理，以去除无定形碳层内的大颗粒惰性气体原子，从而可以改善无定形碳层质量。 | ||
| 申请公布号 | CN103021837B | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
| 申请号 | CN201110296697.8 | 申请日期 | 2011.09.27 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 张彬;鲍宇;邓浩 |
| 分类号 | H01L21/3105(2006.01)I;H01L21/314(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3105(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种处理无定形碳层的方法，其特征在于，包括：形成无定形碳层，形成无定形碳层时通入氩气；在300‑550℃的温度条件下以及氦气(He)环境中对形成的无定形碳层进行紫外线处理，以去除无定形碳层内的大颗粒氩原子。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||