| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法和电源设备 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件，包括：衬底(1)；半导体层叠结构，设置在所述衬底上方，包括电子渡越层(6)和电子供应层(7)；栅电极(3)、源电极(4)和漏电极(5)，设置在所述半导体层叠结构上方；栅极焊盘(10)、源极焊盘(11)和漏极焊盘(12)，设置在所述栅电极、所述源电极和所述漏电极上方，且分别连接至所述栅电极、所述源电极和所述漏电极；以及导电层，设置在所述栅极焊盘、所述源极焊盘和所述漏极焊盘下方，其中，所述栅极焊盘和所述源极焊盘之间的距离小于所述栅极焊盘和所述漏极焊盘之间的距离。 | ||
| 申请公布号 | CN102487054B | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
| 申请号 | CN201110364823.9 | 申请日期 | 2011.11.11 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 今田忠纮;常信和清 |
| 分类号 | H01L23/498(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L21/48(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/498(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 章侃铱;张浴月 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：衬底；半导体层叠结构，设置在所述衬底上方，包括电子渡越层和电子供应层；栅电极、源电极和漏电极，设置在所述半导体层叠结构上方；栅极焊盘、源极焊盘和漏极焊盘，设置在所述栅电极、所述源电极和所述漏电极上方，且分别连接至所述栅电极、所述源电极和所述漏电极；以及导电层，其中，该导电层设置在所述栅极焊盘、所述源极焊盘和所述漏极焊盘下方，所述栅极焊盘和所述源极焊盘之间的距离是这样的距离，该距离能够使栅极焊盘‑导电层电容和源极焊盘‑导电层电容附加至栅极‑源极电容；且所述栅极焊盘和所述漏极焊盘之间的距离是这样的距离，该距离能够使栅极焊盘‑导电层电容和漏极焊盘‑导电层电容不附加至栅极‑漏极电容。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县川崎市 | ||