发明名称 具有栅极叠层的器件
摘要 本发明公开了一种具有栅极叠层的器件,该器件包括漏极、源极、以及栅极叠层。栅极叠层具有栅极介电层、直接位于栅极介电层顶部上的栅极导电层、以及直接位于栅极导电层的顶部上的第一栅极层和第二栅极层。第一栅极层的第一电阻高于第二栅极层的第二电阻。第二栅极层是导电的,与栅极导电层电连接,并且具有接触端,该接触端被配置为作为器件的栅极的接触端。还公开了该栅极叠层的制造方法。
申请公布号 CN102769029B 申请公布日期 2015.11.25
申请号 CN201110368821.7 申请日期 2011.11.17
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 庄学理;宋明相;陈国基;朱鸣;陈柏年;杨宝如
分类号 H01L29/423(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I 主分类号 H01L29/423(2006.01)I
代理机构 北京德恒律师事务所 11306 代理人 陆鑫;房岭梅
主权项 一种具有栅极叠层的器件,包括:栅极叠层,位于第一漏极和源极之间,所述栅极叠层具有:栅极介电层;栅极导电层,直接位于所述栅极介电层的顶部上;以及第一栅极层和第二栅极层,直接位于所述栅极导电层的顶部上,其中,所述第一栅极层具有第一电阻,所述第一电阻高于所述第二栅极层的第二电阻;并且所述第二栅极层是导电的,与所述栅极导电层电连接,并且具有接触端,所述接触端被配置为作为所述器件的栅极接触端。
地址 中国台湾新竹