多栅鳍式场效应管的制备方法

摘要

本发明实施例提供一种多栅鳍式场效应管FinFET的制备方法，包括：在衬底上形成沟道层和栅介质层；在所述衬底上形成非晶硅层，并采用刻蚀工艺刻蚀所述非晶硅层形成至少一个鳍条；沿至少一个鳍条长度方向从所述衬底的两侧向中间采用外延工艺形成第一保护层，直至在沿所述至少一个鳍条长度方向的中间位置形成沟槽；在所述衬底上形成栅极层，对栅极层进行平坦化处理以露出第一保护层，并采用刻蚀工艺刻蚀掉第一保护层，以形成栅极；在所述衬底上形成源漏极。本发明实施例通过采用外延工艺和刻蚀工艺形成FinFET的栅极，实现栅极与鳍条沿长度方向的中心位置对齐，解决漏源之间的串联电阻不平衡的问题，保证FinFET的器件性能。

主权项

一种多栅鳍式场效应管的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上形成沟道层和栅介质层；在所述衬底上形成非晶硅层，并采用刻蚀工艺刻蚀所述非晶硅层，形成至少一个鳍条；沿所述至少一个鳍条长度方向从所述衬底的两侧向中间采用选择性外延工艺形成第一保护层，直至在沿所述至少一个鳍条长度方向的中间位置形成沟槽；在所述衬底上形成栅极层，对所述栅极层进行平坦化处理以露出所述第一保护层，并采用刻蚀工艺刻蚀掉所述第一保护层，以形成栅极；在所述衬底上形成源漏极。