| 发明名称 | 用于制备MWT硅太阳能电池的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了用于制备MWT硅太阳能电池的方法，所述方法包括以下步骤：(1)提供p型硅片，其具有：(i)在所述硅片的正面和背面之间形成通路的空穴和(ii)延伸到所述空穴的整个正面和内侧的n型发射器，(2)将导电性金属浆料施用至所述硅片的空穴以至少为所述空穴的内侧提供金属化，(3)将施用的导电性金属浆料干燥，以及(4)焙烧干燥的导电性金属浆料，从而使所述硅片达到700-900℃的峰值温度，其中所述导电性金属浆料不具有烧透能力或仅具有较差烧透能力并且包含：(a)至少一种选自银、铜和镍的粒状导电金属，以及(b)有机载体。 | ||
| 申请公布号 | CN102725852B | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
| 申请号 | CN201080055578.7 | 申请日期 | 2010.12.08 |
| 申请人 | E·I·内穆尔杜邦公司 | 发明人 | K·W·杭;G·劳迪辛奥;A·G·普林斯;R·J·S·杨 |
| 分类号 | H01L31/0224(2006.01)I;H01B1/22(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0224(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 朱黎明 |
| 主权项 | 用于制备MWT硅太阳能电池的方法，包括以下步骤：(1)提供p型硅片，其具有：(i)在所述硅片的正面和背面之间形成通路的空穴和(ii)延伸到所述空穴的整个正面和内侧的n型发射器，(2)将导电性金属浆料施用至所述硅片的空穴以至少为所述空穴的内侧提供金属化，(3)对施用的导电性金属浆料进行干燥，以及(4)焙烧干燥的导电性金属浆料，从而使所述硅片达到700‑900℃的峰值温度，其中所述导电性金属浆料不具有烧透能力或仅具有较差烧透能力并且包含：(a)至少一种选自银、铜和镍的粒状导电金属，(b)有机载体，以及(c)所述导电性金属浆料包含至少一种玻璃料作为组分，所述玻璃料选自：(i)无铅玻璃料，其具有在550‑611℃范围内的软化点温度并且包含11‑33重量％的SiO<sub>2</sub>、>0‑7重量％的Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>和2‑10重量％的B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>，以及(ii)含铅玻璃料，其具有在571‑636℃范围内的软化点温度并且包含53‑57重量％的PbO、25‑29重量％的SiO<sub>2</sub>、2‑6重量％的Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>和6‑9重量％的B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>。 | ||
| 地址 | 美国特拉华州 | ||