| 发明名称 | 半导体器件的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底表面具有若干相邻的伪栅极结构，所述伪栅极结构包括：伪栅极层、以及位于伪栅极层侧壁表面的侧墙；在相邻伪栅极结构之间的衬底内形成应力层；在衬底、应力层和伪栅极结构的侧壁表面形成第一介质层，所述第一介质层暴露出伪栅极层；去除伪栅极层，在第一介质层内形成第一开口；在所述第一开口内形成栅极结构，所述栅极结构包括若干有效栅极结构、以及至少一个无效栅极结构；去除无效栅极结构，在第一介质层内形成第二开口；在第二开口底部的衬底内形成第三开口；在第二开口和第三开口内形成第二介质层。所形成的半导体器件形貌良好、性能稳定。 | ||
| 申请公布号 | CN105097521A | 申请公布日期 | 2015.11.25 |
| 申请号 | CN201410184425.2 | 申请日期 | 2014.05.04 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 洪中山 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 应战;骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面具有若干相邻的伪栅极结构，所述伪栅极结构包括：伪栅极层、以及位于伪栅极层侧壁表面的侧墙；在相邻伪栅极结构之间的衬底内形成应力层；在衬底、应力层和伪栅极结构的侧壁表面形成第一介质层，所述第一介质层暴露出伪栅极层；去除伪栅极层，在第一介质层内形成第一开口；在所述第一开口内形成栅极结构，所述栅极结构包括若干有效栅极结构、以及至少一个无效栅极结构；去除无效栅极结构，在第一介质层内形成第二开口；在第二开口底部的衬底内形成第三开口；在第二开口和第三开口内形成第二介质层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||