发明名称 半导体模块
摘要 本发明涉及一种半导体模块。本发明涉及一种用于制造电子模块的方法。对此,提供组件(99),该组件具有:电路载体(3),该电路载体具有金属的第一表面区段(311);第一接合配对件(1),该第一接合配对件借助于第一连接层(41)与金属的第一表面区段(311)以材料决定的方式连接;和金属的第二表面区段(111;312)。在热处理中,将金属的第二表面区段(111;312)不中断地保持在下述温度上,该温度高于至少为300℃的热处理最低温度。此外,提供第二接合配对件(2)。通过将第二接合配对件(2)在对第二表面区段(111;312)进行热处理结束之后以材料决定的方式与组件(99)连接,建立第二接合配对件(2)和组件(99)之间的牢固的连接。
申请公布号 CN105097573A 申请公布日期 2015.11.25
申请号 CN201510244472.6 申请日期 2015.05.14
申请人 英飞凌科技股份有限公司 发明人 D.博洛夫斯基;A.弗勒梅尔特;C.克施廷;C.施塔尔胡特
分类号 H01L21/58(2006.01)I 主分类号 H01L21/58(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 卢江;徐红燕
主权项 用于制造电子模块的方法,具有下述步骤:提供组件(99),所述组件具有:·电路载体(3),所述电路载体具有金属的第一表面区段(311);·第一接合配对件(1),所述第一接合配对件借助于第一连接层(41)与所述金属的第一表面区段(311)以材料决定的方式连接;和·金属的第二表面区段(111;312);执行热处理,其中将所述金属的第二表面区段(111;312)不中断地保持在下述温度上,所述温度高于至少为300℃的热处理最低温度;提供第二接合配对件(2);通过将所述第二接合配对件(2)在对所述第二表面区段(111;312)的热处理结束之后以材料决定的方式与所述组件(99)连接,建立所述第二接合配对件(2)和所述组件(99)之间的牢固的连接。
地址 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号